罗姆碳化硅MOSFET助力丰田bZ5电动汽车续航提升

日本半导体制造商罗姆（ROHM）近日宣布，其第四代碳化硅（SiC）MOSFET裸芯片已成功应用于丰田汽车全新跨界纯电动汽车bZ5的牵引逆变器中。这一消息在6月24日的新闻稿中首次披露，标志着罗姆在电动汽车领域的重要进展。

bZ5的牵引逆变器由罗姆与中国合作伙伴正海集团的合资企业——上海海姆希科半导体有限公司量产供货。罗姆的SiC MOSFET功率模块在提升汽车续航里程和整体性能方面发挥了关键作用。具体而言，bZ5的低配版本续航能力可达550公里，而高配版本则可实现630公里的续航表现，电机最大功率为200kW，现已开始交付。

为了进一步巩固其在SiC功率元器件市场的地位，罗姆正在加速推进新一代SiC MOSFET的研发，计划在今年完成第五代SiC MOSFET的生产线建设，并为第六代和第七代产品的市场投放做好准备。这一系列举措显示了罗姆在电动汽车技术领域的前瞻性布局。