联电迎接N12制程合作新机遇

联电近期发布的营运报告显示，与英特尔合作开发的N12 FinFET制程技术平台进展顺利，预计在2026年完成制程开发并通过验证，这对于公司未来的成长至关重要。

根据报告，联电与英特尔的合作不仅能够减少新晶圆厂的投资负担，还能吸引新客户，尤其是在美国亚利桑那州的生产基地，将为客户提供灵活的供应链选择。这一策略将有助于联电在快速变化的市场中保持竞争力。

此外，联电在先进封装技术方面也取得了显著进展，晶圆级混合键合技术已完成产品验证，预计在2025年进入量产。这些技术将全面支援边缘及云端AI应用，显示出联电在高科技领域的前瞻性布局。

不过，随着国际形势变化，半导体产业面临的不确定性加剧，联电必须与客户紧密合作，进行技术和产品的验证，以降低风险并确保供应链的韧性。尽管如此，联电的价格策略仍保持弹性，并将与客户共同提升市占率，尤其是在高阶智能手机显示器及射频前端模块等领域。

联电的2024年研发支出预计达156亿元新台币，除了N12平台的研发，还包括22nm影像信号处理器及氮化镓元件的开发。这些投资将为联电的未来增长奠定坚实的基础，尽管市场环境充满挑战，联电仍展现出强劲的韧性和潜力。