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三星全力提升2奈米良率至50%,力求追赶台积电

来源:全球半导体观察       

三星电子正在全力以赴提升其2奈米GAA制程的良率,目标是达到50%,以便在先进制程技术的竞争中追赶台积电。根据韩媒《NewDaily》的报导,三星的系统LSI与晶圆代工部门正在加速提升Exynos 2600的性能与良率,这一努力旨在降低生产成本。尽管年初的良率仅为30%,但随着研发的持续投入,三星已经朝着50%的目标迈进。

三星计划在明年2月发表Galaxy S26,搭载的Exynos 2600原定于5月进入试产,但面临挑战。根据最新报导,该晶片目前已经进入量产阶段,预计在Galaxy S26系列正式发表前的2至3个月内开始实际量产。

在2025年第一季的财报中,三星强调稳定2奈米GAA制程的良率是当前的首要任务,并预期下半年将展开全面量产,以争取更多下一代制程的主要客户。此外,有传闻指出,三星已成功与高通洽谈,为Galaxy手机搭载的Snapdragon 8 Elite Gen 2进行2奈米制程代工,但尚未获得官方确认。

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